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고성능 10GbE MEMS 오실레이터

03 Feb

IDT의 새로운 고성능 오실레이터는 초저위상 지터 및 적응형 출력 주파수를 통해 10GbE(기가비트 이더넷) 스위치, 라우터 및 기타 관련 네트워킹 장비에서 비트 오류율(BER)을 대폭 낮춰 준다.

IDT의 4H 성능 MEMS 오실레이터는 차동형 LVDS/LVPECL 출력과 동급 제품 중에서 가장 낮은 위상 지터(100fs @ 1.875~20MHz 및 300fs 미만 @ 12kHz~20MHz)를 바탕으로 고성능 네트워킹 애플리케이션의 저지터 칩셋 요구 사항을 충족한다.

또한 주파수 마지닝 기능이 통합되어 있어 애플리케이션에서 동작 중에 오실레이터 주파수를 최대 ±1000ppm씩 미세 조정할 수 있어 BER을 최소화하고 마진 테스팅을 편리하게 수행할 수 있다.

IDT의 4H MEMS 오실레이터는 집적도가 높은 애플리케이션에서 보드 공간과 비용을 절감하는 소형 3225(3.2mm x 2.5mm)를 포함해 다양한 패키지 크기로 제공된다.

MEMS 오실레이터의 이 같은 성능, 사양 및 작은 패키지 크기를 최적의 조합으로 제공할 수 있는 회사는 IDT가 유일하다.

4M 표준 오실레이터는 1피코초(ps) 미만의 위상 지터를 갖춘 차동 수정 오실레이터에 대한 드롭인 대체품(Drop-in Replacement)으로 사용하기에 매우 적합하다.

IDT http://www.idt.com

아이씨엔 매거진 2013년 04월호

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Posted by on February 3, 2016 in Automation

 

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