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Category Archives: Power

리니어, 고전력 네거티브 전원에 이상적인 다이오드OR 컨트롤러 출시

리니어 테크놀로지 코리아(대표 홍사곽)는 듀얼 피드(dual feed) 고전력 텔레콤 및 데이터콤 보드를 위한 매우 완벽한 다이오드OR 컨트롤러(제품명: LTC4371)를 출시했다고 밝혔다.

LTC4371은 리던던트 전원 공급장치 간 완벽한 핸드오프를 제공하며, 파워 쇼트키(Schottky) 다이오드와 관련된 히트 싱크를 N채널 MOSFET으로 대체하여, 전력 손실, 전압 강하, 솔루션 크기를 줄여준다. 이 컨트롤러는 ±300V 를 견디거나 가장 강력한 다이오드OR 솔루션을 위해 낙뢰로 발생되는 서지, 부하 스위치 또는 전원 단락회로 기간 동안 발생되는 더 높은 과도전압을 견딜 수 있도록 설계되었다.

내장형 션트 레귤레이트 전원은 350µA의 낮은 대기 전류 및 높은 임피던스 드레인 핀을 통해 큰 값의 외부 저항이 이같은 고전압 과도기간 동안 디바이스 전류를 안전하게 제한시킬 수 있다. 외부 과도 전압 서프레서가 필요 없게 되어, 비용과 보드 면적이 절약된다.

LTC4371은 고전류 애플리케이션에서 전력 소모를 최소화하기 위해 이상적인 다이오드 MOSFET에 대해 낮은 15mV 순방향 전압 강하가 유지 되도록 게이트(gate) 를 조절한다. 리니어 서보(servo) 기법은 DC 역 전류를 방지하면서 전원 스위치 전환시 부드러운 전류 전환을 가능하게 한다. 입력 전원 단락회로 기간 동안, 과도 역 전류는 강력한 2A 게이트 턴오프 전류로 최소화된다. 강력한 5mA 게이트의 풀-업(pull-up) 전류는 MOSFET의 빠른 턴온을 보장하며, AC 정류 애플리케이션을 실현시킨다.

다량의 게이트 전류는 여러 개의 MOSFET들이 고전류 50A 및 100A 애플리케이션으로 병렬로 배열될 때 충분한 구동 능력을 제공한다. 동작 전압 범위는 열 션트 레귤레이터로 인해 수백 볼트로 확장되며, 4.5V최소 전원은 저전압 −5V 및 −12V ORing 애플리케이션에 맞추게 된다. MOSFET의 개방 회로 오류 또는 직렬 퓨즈가 검출되어 오류 상태 출력으로 신호를 준다.

아이씨엔 매거진 news@icnweb.co.kr

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Posted by on March 18, 2016 in NewProducts, Power

 

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ST마이크로일렉트로닉스, MDmesh DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터 공개

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 엠디메쉬(MDmesh™) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공개했다. 컴퓨터, 통신 네트워크, 산업 및 컨수머 기기의 저전력 전원 공급 장치의 효율성을 더욱 향상시킬 수 있는 제품이다.

 엠디메쉬(MDmesh™) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터

 

전세계적으로 전자책, 비디오, 사진, 음악파일과 같은 디지털 데이터를 수집하고, 저장하고, 공유하는 규모가 급격히 증가하는 추세이다. 이에 따라 클라우드를 호스트하는 대규모 서버팜(Server Farm)은 물론 모든 사람과 사물의 연결 매개체가 제공될 뿐만 아니라 궁극적으로는 데이터 사용이 이루어지는 통신 네트워크에서의 에너지 소모를 최소화할 필요가 증가하고 있다. ST는 최첨단 전력-트랜지스터 구조에 작은 사이즈와 비용 효율성, 열효율이 뛰어난 파워플랫(PowerFLAT) 8×8 HV 패키징 기술을 결합한 세계 최상의 전력밀도 솔루션을 통해 이러한 과제를 해결해 나가고 있다.

ST의 새로운 전력-트랜지스터 제품군은 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재하고 있으며, 최고 650V의 항복전압을 갖춘 다양한 초접합(Super-Junction) 전력 MOSFET으로 구성된다. 낮은 게이트 차지(Gate Charge), 입력 커패시턴스 및 저항, 고속 회복 위상 진성 다이오드, 매우 낮은 회복 차지(Qrr) 및 회복 시간(Trr), 업계 최상의 소프트-스위칭(Soft-Switching) 성능 등의 기술적 특성을 모두 갖추어 경쟁력도 뛰어나다.

아이씨엔 매거진 news@icnweb.co.kr

 
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Posted by on March 8, 2016 in NewProducts, Power

 

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노르딕, 초저전력 블루투스 스마트 단일 칩 솔루션 출시

노르딕 세미컨덕터의 nRF52 시리즈 SoC(System-on-Chip)의 첫 번째 제품인 nRF52832는 블루투스 4.2버전 인증을 받았으며, 이전 베타 버전에서 완벽하게 최종 확정된 모든 개발키트와 소프트웨어 및 문서자료들이 지원되고 있으며, 노르딕 웹사이트에서 즉시 다운로드 가능하다.

초저전력 무선 솔루션 분야의 선도기업인 노르딕 세미컨덕터(Nordic Semiconductor ASA, 한국지사장: 최수철, http://www.nordicsemi.com)는 현재 마켓에 공급 중인 제품 중 가장 선도적인 최첨단 블루투스 스마트(Bluetooth® Smart) 싱글칩 솔루션인 최신 nRF52 시리즈 SoC(System-on-Chip)의 첫 번째 제품인 nRF52832 디바이스가 대량생산에 돌입했으며, 이전에 발표되지 않았던 다양한 새로운 기능들도 추가되었다고 밝혔다.

nRF52832 양산버전은 최신 블루투스 4.2버전의 블루투스 사양 인증을 획득했으며, 블루투스 소프트웨어 스택에 암호화된 무선 통신을 지원하는 새로운 ‘LE 보안 연결’ 기능이 포함되었다. 또한 DFU(Device Firmware Upgrade) 보안 기능도 향상되었으며, 더불어 개발자들이 해당 컨피규레이션을 위한 소프트웨어 스택이 차지하는 메모리 용량을 최적화할 수 있도록 새로운 유연한 RAM 방식과 다중 마스터-슬레이브(Master-Slave) 네트워크를 동시 지원하는 기능도 추가되었다. 다중 마스터-슬레이브 네트워크 동시 지원기능은 예를 들어, 스마트워치를 다른 무선 센서의 허브나 스마트폰의 무선 주변장치로 동시에 동작하도록 하는 것이 가능하다.

이전에 발표한 것처럼, 어떠한 경쟁 솔루션도 한계를 넘어선 뛰어난 성능과 전력효율은 물론, 소비자들에게 익숙한 터치-투-페어(Touch-to-Pair)를 위한 고유의 온칩 NFC™ 태그 및 새로운 차원의 디자인 유연성을 제공하는 nRF52832의 기능 및 성능 조합에 근접하지 못하고 있다.

nRF52832는 업계 최초로 최고 수준의 초고성능을 갖춘 64MHz ARM Cortex-M4F 프로세서를 비롯해 저전력 2.4GHz 다중 프로토콜 무선 및 완전 자동화된 전력 최적화 기능을 갖추고 있다. EEMBC 215 CoreMark를 달성한 nRF52832는 경쟁 솔루션에 비해 최고 60% 이상의 범용 프로세싱 파워를 지원하며, ARM Cortex-M4F 프로세서 덕분에 최고 10배의 부동 소수점 성능과 2배의 DSP 성능을 제공한다. 또한 58 CoreMark/mA에서 nRF52832는 경쟁 솔루션 대비 최고 2배의 전력효율을 달성했다.

한편 nRF52832는 센서, 디스플레이, 터치 컨트롤러, 키패드, 모터, 디지털 마이크로폰, 오디오 코덱 등과 같은 외부 컴포넌트들과 글루리스 인터페이스(Glueless Interface)가 가능하도록 모든 온칩 아날로그 및 디지털 주변장치를 포함하고 있다. 따라서 원격 컨트롤러, 장난감, 스마트 홈 디바이스, 가전기기, 무선 충전 등과 같은 웨어러블 및 휴먼 인터페이스 장치에 적합한 단일 칩 솔루션을 구현할 수 있다.

노르딕의 제품 마케팅 매니저인 파 하칸손(Pär Håkansson)은 “지난해 6월, 새로운 차원의 블루투스 스마트 단일 칩 솔루션을 재정립한 nRF52832가 출시된 이후 어떠한 경쟁사도 아직까지 이에 근접하는 솔루션을 출시하지 못하고 있다.”고 밝혔다.

또한 파 하칸손은 “nRF52832에 대한 수요는 이전의 모든 노르딕 세미컨덕터의 신제품 출시 기록을 능가했으며, 이는 노르딕의 가장 큰 행사이자 많은 엔지니어들이 참가하는 글로벌 테크 투어(Global Tech Tour)의 성공도 크게 일조했다.(글로벌 테크 투어는 노르딕의 최고 엔지니어들이 직접 신규 및 기존 고객들을 만나서 노르딕의 ULP 무선 기술에 기반한 최신 개발 솔루션을 소개하고, 고객들에게 활용방법에 대한 실제 트레이닝을 제공하는 행사로 현재까지 전세계적으로 약 4천여명의 엔지니어와 개발자들이 참석했다.) 이러한 nRF52832 디바이스가 다음 분기부터 샘플링 단계에서 수백만 개에 이르는 양산제품으로 전환됨에 따라 각 지역의 노르딕 세미컨덕터의 모든 고객들도 충분한 수량을 활용할 수 있게 되었다.”고 피력했다.

노르딕 세미컨덕터의 블루투스 스마트 제품 매니저인 키에틸 홀스타드(Kjetil Holstad)는 “현재 단일 칩 블루투스 스마트 솔루션은, 특히 웨어러블 및 IoT 애플리케이션에서, 역사상 그 어떤 무선 시장보다 빠른 성장세를 보이고 있는 블루투스 스마트 기술의 혁신 속도를 따라잡기 위해 상당한 어려움을 겪고 있다.”며, “이는 지금까지는 전력효율을 희생시켜야만 탁월한 성능을 달성할 수 있었기 때문이다.”라고 언급했다.

홀스타드는 “nRF52 시리즈는 최초로 블루투스 스마트 단일 칩 상에 혁신적인 성능과 전력 효율을 모두 달성했으며, 이는 블루투스 스마트 마켓에서 그 동안 절실히 요구해왔던 단일 칩 솔루션이다.”고 말하고, “이제 개발자들은 블루투스 스마트 제품 및 애플리케이션을 개발하는데 있어 보다 자유롭고 과감하게 훨씬 더 창의적인 작업을 수행할 수 있게 되었으며, 이를 통해 블루투스 스마트 무선 기술의 가능성을 재정립할 수 있을 것이다.”고 밝혔다.

아이씨엔 매거진 news@icnweb.co.kr

 
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Posted by on March 7, 2016 in NewProducts, Power

 

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실리콘랩스, 절연 게이트 드라이버 출시

신제품 Si827x ISOdriver 제품군, 업계 최고 잡음 내성력 제공
전원공급장치, 태양광 인버터, EV/HEV 충전기에 사용

실리콘랩스(Silicon Labs, 지사장 백운달)는 최첨단 전원공급장치 설계에 중요한 요건을 충족시키는 절연 게이트 드라이버 신제품을 출시했다고 밝혔다. 실리콘랩스의 검증된 디지털 절연 기술을 기반으로 한 이번 신제품 Si827x ISOdriver 제품군은 상용화된 게이트 드라이버 중 가장 높은 잡음 내성을 제공한다. 업계 선도적인 CMTI(Common Mode Transient Immunity)을 갖춘 Si827x 드라이버는 고속 스위칭을 하는, 잠재적으로 잡음이 많이 발생할 수 있는 전원 공급장치 시스템에 이상적으로 사용할 수 있다. 이 제품군은 서버, 컴퓨터 및 기지국의 전원 공급 장치뿐만 아니라, 태양 인버터 및 마이크로인터버, 클래스 D 증폭기, 모터 컨트롤러, 전기차/하이브리드 전기차(EV/HEV)를 위한 충전기에도 사용할 수 있다.

전원 공급장치를 설계하는 사람들에게 무엇보다 우선시 되어 고려되는 설계기준은 단위 부피 당의 전력(W/mm3)이다. 전력 밀도를 극대화로 하기 위하여, 수많은 설계자들이 변조에 더 높은 스위칭 주파수를 선택한다.

전원 공급 시스템은 실리콘 기반의 MOSFET과 새로운 GaN(gallium nitride) 및 SiC기반의 MOSFET과 같은 고전력 반도체 스위치를 사용하며, 이러한 스위치를 제어하기 위해서는 고전류 절연 드라이버가 요구된다. 고속 스위칭은 시스템 효율을 향상시키지만 더 많은 잡음을 만들어 내어 신호 손실이나 래치업으로 인한 영구적인 손상을 가져 올 수 있다. Si827x 게이트 드라이버는 고속 스위칭으로 유발되는 이러한 잡음에 대한 뛰어난 내성을 제공함으로써 전원 시스템을 보호한다.

Si827x 게이트 드라이버는 오늘날 상용화된 다른 게이트 드라이버의 내성 등급보다 2배 이상 높은 업계 선도적인 잡음 내성(200 kV/µs)과 래치업 내성(400 kV/µs)을 제공한다. 업계 선도적인 고성능의 잡음 내성을 갖춘 Si827x 제품군은 더 빠른 스위칭 속도로 인하여 기인하는 위험을 제거하고, 안전에 대한 주요 고려사항일 수 있는 래치업과 변조 손실을 방지한다. Si827x 제품군의 매우 높은 래치업 사양은 게이트 드라이버를 매우 강건하게 하고, 영구적인 래치업 손상을 방지한다.

Si827x 제품군은 전력 컨버터 애플리케이션을 위하여 2개의 독립적인 입력 또는 단일 입력을 갖춘 단일 또는 듀얼 방식의 절연 드라이버의 선택이 가능하다. 이 드라이버는 넓은 범위의 2.5 – 5.5 V 입력 VDD 및 최대 30 V의 드라이브 전원 전압을 지원한다. 낮은 2.5 V 의 VDDI 전압은 개발자의 저전압 전원 공급장치를 갖춘 시스템 설계를 가능하게 하여, 전력을 더 적게 소모하고, 시스템 효율성을 향상시키면서, 실리콘랩스의 EFM32 게코(Gecko) MCU와 같은 저전력 마이크로컨트롤러와 호환될 수 있도록 한다.

Si827x 게이트 드라이버는 전형적으로 사용되는 DIS(active low) 핀 대신에 EN(active high enable) 핀을 가지고 있고, UVLO(under-voltage lockout) 폴트 방지, 잡음이 있는 입력을 걸러내는 디글리치(de-glitch) 기능, 매우 정밀한 데드타임(DT 핀) 조절 기능을 제공한다. 이러한 DT 기능을 사용할 경우, 개발자는 전력 시스템의 효율과 안전을 극대화하기 위해 2개의 스위칭 드라이버 간 “데드 타임(dead time)”을 정밀하게 조절할 수 있다.

실리콘랩스의 로스 사볼시크(Ross Sabolcik) 파워 제품 담당 부사장은 “실리콘랩스의 새로운 Si827x 게이트 드라이버 제품군은 고객사의 실제 문제를 해결하여, 뛰어난 타이밍 스펙으로 고속 스위칭 및 저전력 2.5V 동작을 안전하게 실현시킨다”면서 “Si827x 게이트 드라이버가 제공하는 업계 최상의 잡음 내성을 통해 개발자는 빠른 스위칭 MOSFET 또는 더 빠른 GaN 및 SiC 스위치를 사용하여 전원공급장치 시스템을 안전하게 설계할 수 있으며, 이를 통해 전체 시스템 효율을 획기적으로 향상시키면서 신뢰성을 증대시킬 수 있다”고 말했다.

 
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Posted by on March 7, 2016 in NewProducts, Power

 

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온세미컨덕터, 최신 글로벌 셔터 기술의 차세대 1.2M픽셀 CMOS 이미지 센서 출시

에너지 효율 혁신을 주도하고 있는 온세미컨덕터(www.onsemi.com)가 이미지 센싱 기술의 또 다른 주요 기술인 AR0135 글로벌 셔터 CMOS 이미지 센서를 출시했다. 1/3인치 포맷의 1.2MP 이미징 소자는 자동차 영상 장치를 비롯해 고속 바코드 스캐닝, 가상 현실이나 3D 스캐닝 등 새롭게 떠오르는 애플리케이션이 필요로 하는 요구조건들을 충족시킨다.

AR0135 글로벌 셔터 CMOS 이미지 센서

 

이번에 출시된 새로운 글로벌 셔터 센서는 카메라가 빨리 움직이는 데이터를 “순간 포착” 하고, 펄스 광원과 효율적으로 동기화 시켜준다. AR0135센서는 기존 제품들에 비해10배 낮은 암전류와 4배 높은 셔터 효율성을 가진 새로운 혁신적인 글로벌 셔터 픽셀 설계를 채택했다.

이렇게 향상된 기능으로 인해 높은 온도의 환경뿐 아니라 어두운 곳에서나 밝은 곳에 모두에서 선명하고 노이즈가 적은 이미지를 생성한다. 이에 따라 차세대 자동차 실내에 설치될 안구 추적 및 동작 인식 기능이 가능하게 하며 바코드 스캐닝에서도 영상 감지 속도를 향상시킬 것으로 예상된다.

1,280 x 960 화소의 이 소자는 풀 해상도에서 초당 54 프레임(fps), 720p에서 60fps까지 동작 가능하다. 또한 외부 LED 광원 쉽게 컨트롤 할 수 있는 트리거 핀과 Flash 컨트롤을 내장하여 스테레오 카메라 애플리케이션의 많은 센서들을 더욱 쉽게 동기화하도록 해주어 전체 시스템 제어 향상 등 여러 가지 다기능도 제공한다.

내장된 온도 센서와 통계 엔진은 카메라 시스템의 진단과 제어 능력을 더욱 향상시킨다. 병렬 및 직렬 (4 레인 HiSPi 인터페이스를 통한) 출력을 지원하여 출력의 유연성 제공도 특징들 중 하나이다.

온세미컨덕터의 자동차 및 스캐닝 이미징 부서 부사장 로스 제이투 (Ross Jatou)는 “글로벌 셔터 기술은 자동차 운전자의 동작 모니터링과 고속 바코드 스캐닝과 같은 새로운 애플리케이션을 가능하게 하는 중요 기술이다. 이 시장은 혹독한 환경에서도 신뢰할수 있는 동작과 고성능 글로벌 셔터 픽셀이 조합된 이미징 솔루션을 필수 요소로 한다”며 “당사는 AR0135 소자의 출시를 계기로 이러한 요구조건을 충족하는 기술을 고객사들에게 다시 한 번 보여주었다. 당사가 제공하는 최신 글로벌 셔터 픽셀 기술은 차세대 카메라 설계에 새로운 수준의 고성능을 제공한다”고 덧붙였다.

 
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Posted by on March 2, 2016 in NewProducts, Power

 

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텍트로닉스, 전력전자 DC 전원 테스트용 초소형 키슬리 2380 시리즈 발표

텍트로닉스는 최근 자사의 전원 테스트 및 측정 솔루션을 갖춘 전체 세트를 보완하는 초소형 독립형 DC 전자 부하 장치(Electronic Load) 인 키슬리 시리즈 2380 제품군을 발표했다.

200W, 250W 및 750W 모델로 공급되는 새로운 DC 전자 부하 장치는 전력 전자 제품, LED 조명, 배터리 연구, 자동차 및 대체 에너지 분야에서 DC 전원 소스, 전력 컴포넌트 및 배터리의 성능 검증, 스트레스 테스트, 환경 테스트를 포함하는 광범위한 애플리케이션을 처리할 수 있는 융통성과 뛰어난 성능, 경쟁력 있는 가격을 제공한다.

키슬리2380시리즈 DC E-LOAD

 

DC 파워 서플라이나 배터리를 개발하거나 테스트하는 전자 엔지니어 또는 테스트 엔지니어는 다양한 조건에서 장치의 성능을 검증하기 위해 DC E-LOAD를 사용하여 실제 부하를 쉽고 빠르게 시뮬레이션할 수 있다. 새로운 2380 DC 전자 부하 장치 시리즈에는 최대 25kHz의 동적 부하 순환 모드, 탁월한 전압/전류 분해능 및 리드백 정밀도, 선택 가능한 여러 인터페이스를 제공하는 다양한 조작 모드와 자동 테스트 모드가 탑재되어 있다.

마이클 에왈드(Michael Ewald) 텍트로닉스 제품군 총책임자는 ”DC E-LOAD제품군을 개발함에 따라 엔지니어들이 가격이 경제적이면서 정밀도와 성능도 제공하는 제품을 찾고 있다는 점이 확실해졌다”면서, ”2380 시리즈는 DC 전자 부하 장치 분야에서 업계 최고의 가치를 제공하며, 텍트로닉스의 파워 분석기, 파워 서플라이, SMU, DMM 및 오실로스코프와 함께 사용하면 모든 유형의 전력 변환 장치 테스트에서 포괄적이고 경제적인 벤치 테스트 솔루션의 기능을 강화해 준다.”라고 말했다.

엔지니어는 2380 시리즈 모델을 사용해서 동일한 계측기를 사용하는 다양한 작업 모드에서 장치를 테스트할 수 있다. 작업 모드에는 CC(정전류), CV(정전압), CR(불변 저항) 및 CP(정전력)가 포함된다. 새로운 계측기는 측정 정확도 면에서 0.1mV/0.01mA 전압/전류 리드백 분해능 및 0.025%/0.05% 전압/전류 리드백 정확도로 높은 신뢰성을 제공한다.

파워일렉트로닉스 매거진 power@icnweb.co.kr

 
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Posted by on February 26, 2016 in NewProducts, Power

 

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리니어, 내부 고효율의 동기식 스텝다운 무음 스위칭 레규레이터 출시

리니어 테크놀로지 코리아(대표 홍사곽)는 3.5A 출력전류, 65V 입력이 가능한 동기식 스텝다운 스위칭 레귤레이터(제품명: LT8641)를 출시했다고 밝혔다.

독자적인 무음 스위칭 레귤레이터 (Silent Switcher®) 아키텍처는 폭넓은 스펙트럼 주파수 변조 기능과 결합되어, 2MHz 를 초과하는 스위칭 주파수에서도25dB 이상까지 EMI/EMC 방출을 감소시킨다. 따라서, 자동차용 CISPR25 class 5 피크 및 평균 한계점을 쉽게 통과할 수 있게 한다. 동기식 정류는 2MHz의 스위칭 주파수에서 94%로 높은 효율을 제공한다. 이 제품의 3V ~ 65V 입력 전압 범위는 단일 또는 듀얼 셀 자동차, 교통, 산업 애플리케이션에 이상적이다.

65V, 3.5A(IOUT), 2.2MHz 동기식 스텝다운, 25dB이상까지 EMI/EMC 방출 감소

LT8641의 내부 고효율 스위치는 최고 3.5A까지 연속 출력 전류와 0.81V로 낮은 전압으로 5A 피크 전류를 제공한다. 디바이스의 Burst Mode® 동작은 무부하 대기 조건에서 2.5µA 이하로 대기 전류를 유지하여 배터리 동작 수명을 연장해야 하는 자동차의 “올웨이즈온(always­-on)” 시스템과 같은 애플리케이션에 잘 맞는다. LT8641의 독자적인 설계는 모든 조건에서 1A시 130mV에 불과한 최소 드롭아웃 전압을 유지하며, 자동차 콜드 크랭크와 같은 시나리오에서 뛰어난 성능을 실현시킨다. 게다가, 35ns에 불과한 빠른 최소 온타임은 24V 입력 ~ 3.3V 출력시 2MHz 정주파수 스위칭을 실현시켜, 설계자가 효율을 최적화하면서 결정적인 잡음 민감 주파수 대역을 피할 수 있게 한다. LT8641의 18­핀 3mm x 4mm QFN 패키지와 높은 스위칭 주파수는 외부 인덕터와 커패시터를 작게 유지시키며, 소형이면서 열 성능이 효율적인 풋프린트를 제공한다.

LT8641은 필수적인 부스트 다이오드, 오실레이터, 제어 및 로직 회로가 단일 다이에 통합된 내장형의 상하 고효율 전력 스위치를 활용했다. 낮을 리플 버스트 모드는 저출력 전류에서 고효율을 유지하면서 10mVP-P. 이하의 출력 리플을 유지한다. 특정 설계 기법과 새로운 고속 공정은 폭넓은 입력 출력 범위에서 고효율을 실현시키며, LT8641의 전류 모드 토폴로지는 빠른 과도응답 및 뛰어난 루프 안정성을 실현시킨다. 다른 기능으로는 내부 보정, 파워 굿 플래그, 출력 소프트스타트/트랙킹, 열 셧다운 기능이 포함된다.

파워일렉트로닉스 매거진 power@icnweb.co.kr

 
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Posted by on February 26, 2016 in NewProducts, Power

 

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